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影響氣體傳感器讀數(shù)的因素-氣體
來(lái)源:賽斯維傳感器網(wǎng) 發(fā)表于 2015/9/24

  氣體是流體,氣體之所以流動(dòng)是因?yàn)橛袎毫Σ,壓力差越大,流速就越大。?duì)氣體傳感器來(lái)說(shuō),關(guān)心的并不是管路中總的流速,而只是關(guān)心在傳感器進(jìn)氣口附近的流速。傳感器進(jìn)氣口附近的空腔體積一般都不到10毫升,因此,我們通常建議的流速是以毫升/分鐘來(lái)度量。


  提到流量,還需要解釋兩個(gè)通氣的模式,一種叫擴(kuò)散模式,另外一種是泵吸模式。擴(kuò)散模式,顧名思義,就是靠空氣的自然擴(kuò)散進(jìn)入傳感器,這種靜態(tài)的擴(kuò)散模式,流速并不適用,僅僅靠的是自然擴(kuò)散;泵吸模式,就是靠泵來(lái)抽氣體,使氣體快速流動(dòng),流經(jīng)傳感器表面,以達(dá)到提升響應(yīng)速度的目的。

  不同傳感器的流量范圍是怎樣的?

  催化燃燒傳感器(LEL):200ML/MIN到1L/MIN。催化珠本身對(duì)流量是敏感的,但是催化珠上罩有防風(fēng)罩,防風(fēng)罩外面還有粉末冶金的燒結(jié)片或多層的鋼絲網(wǎng)燒結(jié)片阻擋大氣流。
電化學(xué)傳感器(EC):200ML/MIN到1L/MIN。電化學(xué)傳感器的進(jìn)氣口對(duì)流量已經(jīng)進(jìn)行了控制,因此內(nèi)部的催化能力是遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于進(jìn)入傳感器的量的。當(dāng)外部氣流改變的時(shí)候,傳感器讀數(shù)變化很小。

  但要注意的是,流量大了,會(huì)帶走EC傳感器內(nèi)部的水份,導(dǎo)致傳感器在30天內(nèi)失效。這一點(diǎn)在《哪些因素會(huì)影響氣體傳感器的讀數(shù)之四》中有具體的闡述。

  非色散紅外傳感器(NDIR):200ML/MIN到2L/MIN。流量越大,響應(yīng)越快。流量大對(duì)NDIR傳感器來(lái)說(shuō),只有好處,沒(méi)有壞處,但要除塵和除水。

  光離子化傳感器(PID):200ML/MIN到1L/MIN。PID傳感器必須使用泵吸模式,使用泵吸模式的好處是可以帶走被測(cè)氣體VOC。如果VOC長(zhǎng)期積累在UV燈和電極上,會(huì)形成一層油泥,這樣就需要清洗UV燈和電極了。

  金屬氧化物半導(dǎo)體傳感器(MOS):200ML/MIN到1L/MIN。MOS傳感器通常都有加熱,流速大了會(huì)帶走熱量,降低溫度。

  氣體流量是如何影響氣體濃度測(cè)量結(jié)果的?

  一般說(shuō)來(lái),流速對(duì)短時(shí)間之內(nèi)的測(cè)量結(jié)果影響不大。如果流速在200ML/MIN到1L/MIN范圍之內(nèi),讀數(shù)改變量應(yīng)該小于3%才是。當(dāng)然,這個(gè)改變量不是不做任何努力,就理所應(yīng)當(dāng)可以獲得的結(jié)果。氣帽和走氣板的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)還是很講究的。

  如何消除氣體流速帶來(lái)的影響?

  催化燃燒傳感器(LEL):LEL傳感器一般都是隔爆設(shè)計(jì),燒結(jié)片對(duì)氣流天然就有阻擋作用。又因?yàn)長(zhǎng)EL傳感器的靈敏度較大,因此氣流對(duì)催化燃燒傳感器的影響幾乎可以忽略。

  電化學(xué)傳感器(EC):需要控制氣流對(duì)EC傳感器的沖擊,要保證氣流是垂直于傳感器法向的。對(duì)于無(wú)吸附性的氣體來(lái)說(shuō),流量控制在200ML/MIN-600ML/MIN范圍內(nèi)。對(duì)于有吸附性的氣體來(lái)說(shuō),氣體流量需要控制在500ML/MIN-1000ML/MIN。千萬(wàn)不要讓氣流平行于傳感器法向通氣,這樣氣流會(huì)從傳感器擴(kuò)散孔長(zhǎng)驅(qū)直入,改變傳感器的靈敏度、重現(xiàn)性和響應(yīng)時(shí)間。

  非色散紅外傳感器(NDIR):基本不用做任何限制,NDIR需要快速響應(yīng),進(jìn)入傳感器的氣流擴(kuò)散速度要盡可能大。

  光離子化傳感器(PID):和NDIR類似,進(jìn)入傳感器的氣流擴(kuò)散速度要盡可能大。

  金屬氧化物半導(dǎo)體傳感器(MOS):一般的MOS傳感器都有加熱功能,氣流會(huì)帶走熱量,導(dǎo)致MOS工作溫度改變,從而造成傳感器靈敏度改變。因此,需要防止大氣流直接接觸MOS傳感器表面。和LEL傳感器一樣,使用燒結(jié)片是一個(gè)不錯(cuò)的選擇。

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