單晶硅基于 MEMS（微機(jī)電）技術(shù)的壓力傳感器，它是建立在微米/納米基礎(chǔ)上，在單晶硅片上刻融制作惠斯登電橋（Wheatstone bridge）組成的硅應(yīng)變計(jì)，經(jīng)500℃以上高溫熔化玻璃，將硅應(yīng)變片燒結(jié)在17－4PH不銹鋼傳感彈性體上，彈性體受壓變形后產(chǎn)生電信號(hào)，由帶微處理器的數(shù)字補(bǔ)償放大電路進(jìn)行放大，經(jīng)數(shù)字軟件進(jìn)行全智能溫度補(bǔ)償，輸出標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)。在標(biāo)準(zhǔn)凈化生產(chǎn)過程中，參數(shù)嚴(yán)格受控，避免了溫度、濕度及機(jī)械疲勞的影響，具有頻響高、工作溫度寬等特點(diǎn)，保證了傳感器在工業(yè)惡劣環(huán)境中使用的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。

　　壓電壓力傳感器原理

　　壓電壓力傳感器中主要使用的壓電材料包括有石英、酒石酸鉀鈉和磷酸二氫胺。其中石英（二氧化硅）是一種天然晶體，壓電效應(yīng)就是在這種晶體中發(fā)現(xiàn)的，在一定的溫度范圍之內(nèi)，壓電性質(zhì)一直存在，但溫度超過這個(gè)范圍之后，壓電性質(zhì)完全消失（這個(gè)高溫就是所謂的“居里點(diǎn)”）。

　　壓電效應(yīng)是壓電傳感器的主要工作原理，壓電傳感器不能用于靜態(tài)測(cè)量，因?yàn)榻?jīng)過外力作用后的電荷，只有在回路具有無限大的輸入阻抗時(shí)才得到保存。實(shí)際的情況不是這樣的，所以這決定了壓電傳感器只能夠測(cè)量動(dòng)態(tài)的應(yīng)力。

　　轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明來源：賽斯維傳感器網(wǎng)（tcmtest.cn）